2024年
2024年5月2日
ミネベアミツミ株式会社
株式会社日立パワーデバイスの株式取得（子会社化）及び事業譲受完了に関するお知らせ
ミネベアミツミ株式会社（以下、「当社」）は、2023年11月2日付「株式会社日立パワーデバイスの株式取得（子会社化）及び事業譲受に関するお知らせ」にて公表しましたとおり、株式会社日立製作所（以下、「日立製作所」）との間で、株式会社日立パワーデバイス（以下、「日立パワーデバイス」）の株式取得（以下、「本株式取得」）に係る株式譲渡契約を締結及び日立製作所グループのパワーデバイス事業に関する海外販売事業を譲り受けること（以下、「本事業譲受」）を決定しておりましたが、本日、本株式取得及び本事業譲受を完了し、日立パワーデバイスの名称をミネベアパワーデバイス株式会社（以下、「ミネベアパワーデバイス」）に変更いたしましたので、お知らせいたします。
1. 本取引の目的及び今後の運営方針
当社は、超精密加工技術や大量生産技術等の当社の強みを発揮でき、且つ簡単に無くならない製品をコア事業「8本槍」として位置付けると共に、これらを相合*1（そうごう＝相い合わせる）することにより新たな価値をお客様に提供していくことを基本戦略としております。パワー半導体も手掛ける当社のアナログ半導体事業はこの8本槍の一つであり、リチウムイオン電池保護IC、電源IC、タイマーIC、MEMS*2センサー、磁気センサー、車載用メモリー等のみならず、IGBT*3をはじめとするパワー半導体領域においても更なる事業拡大を志向し、売上高800億円規模から2030年度にはM&Aも含めて3,000億円への成長を目標とし、一層の事業規模の拡大と事業価値の向上を目指しております。
ミネベアパワーデバイスは、産業や社会インフラの電化・電動化におけるキー・デバイスであるパワー半導体製品を提供している半導体メーカーです。高度な基礎技術資産とモジュール化技術をベースにした小型化と高性能化を両立した特徴のある製品を数多く生み出し、高い競争力を有した製品ポートフォリオを実現することで、高成長が見込まれるエンドマーケットにおいて確固たるポジションを確立しております。特に、高耐圧SiC、高耐圧IGBT、EV向けSG（サイドゲート）-IGBT、高圧IC、オルタネータ用ダイオード等のパワー半導体においては、豊富な技術開発力を背景として、優位性の高い技術・製品を有しています。
上記のとおり、当社はIGBTビジネスの拡大を推進してまいりましたが、チップビジネスの展開に留まり、当社としてモジュール化技術を有しておりませんでした。本株式取得及び本事業譲受により、当社は従来のチップ製造に加え、パッケージ及びモジュールの後工程技術および生産能力を取得し、「パワー半導体を開発から一貫生産できる垂直統合型のビジネス展開」が可能となります。さらに、統合による技術陣容の強化に加え、ミネベアパワーデバイスの誇るSG-IGBTを含むユニークな技術と当社のチップ製造技術を相合します。SiパワーデバイスにおいてもSiCに近い性能を実現することや、ミネベアパワーデバイスのSiC技術者集団が持つ高耐圧SiC技術を活かしたSiCパワーデバイス事業の発展など、パワーデバイス事業と当社の既存事業とのシナジー効果を発現させ、パワー半導体市場をリードできる競争力のある企業への躍進を図ります。新製品開発における相合活動では、高圧モーター制御のノウハウを当社DCモーター製品へ活用することによるモーターソリューションの新提案、先端高効率デバイス等を当社電源へ取り込むことよるハイパワー電源製品の市場投入、特殊プロセス技術と設計技術の融合やエイブリック製品との組み合わせなどによる医療向けデバイス製品の増強等を想定しており、新たな付加価値を創出してまいります。また、従前より当社はミネベアパワーデバイスの前工程Fabとして製造受託しており、さらに、SG-IGBTは既に当社滋賀工場で試作中でありますので、垂直統合で経営統合初日より付加価値を取り込めるものと考えております。
パワー半導体は、EVに留まらず、GX（グリーントランスフォーメーション）、風力・太陽光等の再生可能エネルギー、電力・パワーグリッド、電鉄等の大型輸送機器、データセンター、重粒子線治療やMRI等の医療・ヘルスケア、産業機器・工作機器等での需要が高まっているものと理解しております。マスの市場に加え、尖った強みを活かしやすいニッチな市場で強みを発揮させることで、大きなシナジー効果を生み出し、アナログ半導体事業として3,000億円をさらに上回る成長を目指してまいります。
- *1 相合：「総合」ではなく、「相い合わせる」ことを意味し、自社保有技術を融合、活用して「コア製品」を進化させるとともに、その進化した製品をさらに相合することでさまざまな分野で新たな製品を創出すること。
- *2 Micro Electro Mechanical Systems
- *3 パワー半導体素子の一つである絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
2. ミネベアパワーデバイスの概要
| （1）名称 | ミネベアパワーデバイス株式会社 | |||
|---|---|---|---|---|
| （2）所在地 | 茨城県日立市大みか町五丁目2番2号 | |||
| （3）代表者の役職・氏名 | 取締役社長 鈴木 雅彦 | |||
| （4）事業内容 | 半導体部品の設計、製造及び販売 半導体応用機器と部品の設計、製造及び販売 |
|||
| （5）資本金 | 450百万円 | |||
| （6）設立年月日 | 2013年10月1日 | |||
| （7）大株主及び持株比率 | ミネベアミツミ株式会社 | |||
| （8）役員構成 | 取締役社長 | |||
| 取締役 | ||||
| 取締役 | ||||
| 取締役 | ||||
| 取締役 | ||||
| 監査役 | ||||
3. 譲受事業の概要
| （1）譲受事業の内容 | パワーデバイス事業に関する海外販売事業 |
|---|---|
| （2）譲受対象事業の資産 | 事業譲渡日におけるパワーデバイス事業に関する海外販売事業に係る売上債権、商品在庫、契約及び従業員等 |
4. 今後の見通し
本件に伴う2025年3月期の当社の連結業績に与える影響は軽微です。今後、開示すべき事項が発生した場合には、判明次第速やかに開示いたします。
以上
| 会社名 | ミネベアミツミ株式会社 |
|---|---|
| 代表者名 | 代表取締役 会長 CEO 貝沼 由久 （コード番号 6479 東証プライム） |
| 問合せ先 | 広報・IR室長 小峯 康生 （Phone: 03-6758-6703） |
ここに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。製品または商品の仕様変更・販売終了等により、最新の情報と異なる場合がございますので、ご了承ください。
